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鉬銅熱管理元件陣列
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鉬銅複合材料 Molybdenum-Copper Composites

AMETEK CT 鉬銅複合材料(Molybdenum-Copper Composites,MoCu)結合鉬(Molybdenum)的低熱膨脹係數與銅(Copper)的高導熱、高導電特性,可有效降低封裝熱應力並提升散熱效率,廣泛應用於功率半導體、IGBT、SiC、GaN、RF 微波元件、航太、國防、雷射設備及高可靠電子封裝等熱管理應用。

Specifications 產品說明

 
 
AMETEK SMP|THERMAL MANAGEMENT MATERIALS

Molybdenum-Copper Composites

鉬銅複合材料(AMC 系列)

粉末冶金製程結合鉬的高熔點、低熱膨脹與銅的高導熱、高延展性,導熱率最高 215 W/mK,熱膨脹係數可調整至與 GaAs、GaN 及陶瓷基板匹配,是高功率電子元件的金屬基複合散熱基板。

  • 導熱率 165–215 W/mK
  • CTE 6.8–9.5 ppm/°C
  • 5 種標準牌號
  • GaAs/GaN 適用
PRODUCT AT A GLANCE
核心產品數據

導熱率

165–215 W/mK

熱膨脹係數 30–150°C

6.8–9.5 ppm/°C

密度

9.68–10.01 g/cm³

標準牌號

AMC 6040–8515

Mo 60%–85%,可客製配方

Overview|產品概述 Advantages|核心優勢 Grades|牌號與規格 MoCu vs WCu|選型對照 Applications|應用領域 Capability|加工與包裝 FAQ|常見問題 Contact|規格洽詢

OVERVIEW

把熱導走,同時讓熱膨脹跟著晶片走

高功率元件的失效多半不是燒毀,而是材料之間熱膨脹不一致累積出的介面應力。鉬銅複合材料同時處理這兩件事。

MoCu
AMC Molybdenum-Copper 低熱膨脹 × 高導熱
可調式 Mo/Cu 複合配方

AMETEK SMP 的鉬銅複合材料(AMC 系列)以鍛造粉末冶金(wrought powder metallurgy)製成金屬基複合材料,兼具鉬的高熔點與低熱膨脹,以及銅的優異熱傳導能力。

透過調整 Mo/Cu 比例,可在 導熱率熱膨脹係數 之間取得對應各種晶片與封裝材料的平衡點;除 5 種標準牌號外,亦可依指定熱膨脹係數客製配方。

特別適合以下條件

  1. 01 GaAs/GaN 等化合物半導體的熱應力控制
  2. 02 氣密封裝內部需要高效散熱路徑
  3. 03 機載、太空等重量敏感、無法採用鎢銅的場合

KEY ADVANTAGES

鉬銅複合材料的四項關鍵優勢

原廠列出的核心材料特性,對應到實際封裝設計上的四個決策點。

  • 01 高導熱率 具優異的厚度方向(through-thickness)導熱表現,優於同類競爭材料。
  • 02 高延展性、易加工 可精密加工成複雜形狀而不犧牲強度,支援近淨形成型件。
  • 03 尺寸穩定與耐腐蝕 優異的尺寸穩定性與抗腐蝕性,確保長期使用壽命。
  • 04 可客製熱膨脹係數 除標準牌號外,可依元件材料指定 CTE 進行配方設計。

GRADES & TECHNICAL SPECIFICATIONS

AMC 標準牌號與材料特性

牌號數字即為成分比例:AMC 7525 代表 75% 鉬-25% 銅。銅比例越高,導熱越好;鉬比例越高,熱膨脹越低。

Composition & Density|成分與密度

AMC 系列鉬銅複合材料成分與密度
牌號成分密度 (g/cm³)密度 (lb/in³)
AMC 604060% Mo-40% Cu9.680.349
AMC 653565% Mo-35% Cu9.740.352
AMC 752575% Mo-25% Cu9.870.356
AMC 802080% Mo-20% Cu9.940.359
AMC 851585% Mo-15% Cu10.010.361

Thermal Conductivity|導熱率

AMC 系列導熱率
牌號W/mKBTU/hr·ft·°F
AMC 6040215125
AMC 6535205119
AMC 7525185108
AMC 8020175102
AMC 851516596

Thermal Expansion|熱膨脹係數

AMC 系列熱膨脹係數,單位 in./in. ×10⁻⁶/°C
牌號30–150°C30–400°C30–800°C
AMC 60409.510.210.5
AMC 65359.09.49.8
AMC 75257.88.08.4
AMC 80207.27.57.9
AMC 85156.87.07.4

熱膨脹係數單位為 in./in. ×10⁻⁶/°C,即一般所稱的 ppm/°C。

選型時建議先確認晶片與封裝基板的熱膨脹係數,再回頭挑選最接近的 AMC 牌號;若標準牌號無法滿足,可指定 CTE 進行客製配方。

MoCu vs WCu

鉬銅與鎢銅該怎麼選?

兩者都是 AMETEK SMP 的熱管理複合材料,差別主要在重量與熱膨脹下限。

鉬銅 AMC 與鎢銅 AWC 選型對照
比較項目鉬銅 AMC 系列鎢銅 AWC 系列
密度9.68–10.01 g/cm³14.98–17.30 g/cm³
導熱率165–215 W/mK150–186 W/mK
熱膨脹係數 30–150°C6.8–9.56.51–9.06
主要優勢輕量、導熱上限較高熱膨脹下限較低、耐更高溫
典型場景機載/太空、重量敏感的雷達與 5G 模組極低 CTE 需求、超高溫或耐電弧場合

同樣尺寸下,鉬銅重量約為鎢銅的六成。若系統對重量敏感(機載雷達、衛星酬載、可攜式設備),鉬銅通常是第一選擇;若設計目標是把 CTE 壓到最低或需承受更高工作溫度,則建議評估鎢銅。

APPLICATIONS

從國防雷達到 5G 與資料中心

凡是氣密封裝內需要同時處理散熱與熱應力的高功率元件,都是鉬銅的主場。

  • DEFENSE

    國防與雷達

    先進主動相位陣列雷達、電子反制與干擾設備中的 GaAs/GaN 功率元件散熱座。

  • 5G TELECOM

    5G 通訊基礎設施

    基地台功率放大器模組的均熱片與承載基板,兼顧散熱與輕量化。

  • DATA CENTER

    資料中心電子

    高功率運算與電源模組的散熱路徑,以及電路板芯材(circuit board cores)。

  • OPTOELECTRONICS

    光電元件

    雷射二極體、光通訊模組的次載板與熱擴散結構。

  • PACKAGING

    氣密封裝零件

    晶片承載座、IC 承座(pedestal)、封裝蓋板與熱擴散片等成型件。

  • 晶片承載 Chip Mounting
  • 散熱座 Heat Sinks
  • 電路板芯材 Circuit Board Cores
  • 均熱片 Thermal Spreaders
  • 電子封裝件 Electronic Packages
  • IC 承座 Pedestals

CAPABILITY

從素材到可直接上線的成品件

原廠提供電鍍、放電加工與 pick-and-place 包裝,減少客戶端二次加工與轉包環節。

最大供應尺寸

寬度

4 in.(102 mm)

厚度

3 in.(76 mm)

長度

24 in.(610 mm)

實際可供尺寸依材質與整體幾何而定,請於詢價時提供圖面確認。

加值加工

  • 客製熱膨脹係數:依元件材料調配 Mo/Cu 比例
  • Nadcap 認證電鍍:鎳、金等表面處理
  • EDM 放電加工:複雜輪廓與精密孔位
  • 近淨形成型件:以粉末冶金直接成型,減少材料損耗

包裝方式

  • Waffle Pack:可依零件尺寸客製
  • Reel & Tape:支援自動取放,提升產線效率
  • 玻璃瓶裝或客製方案

FAQ

鉬銅複合材料常見問題

選型前最常被詢問的技術問題。

Q1. AMC 牌號的數字代表什麼?

代表成分比例。AMC 7525 即 75% 鉬-25% 銅,AMC 6040 即 60% 鉬-40% 銅。銅比例越高導熱率越好(AMC 6040 為 215 W/mK),鉬比例越高熱膨脹係數越低(AMC 8515 在 30–150°C 為 6.8)。

Q2. 鉬銅與鎢銅該怎麼選?

同尺寸下鉬銅密度約 9.7–10.0 g/cm³,僅為鎢銅(15.0–17.3 g/cm³)的六成,且導熱率上限較高,適合重量敏感的機載雷達與 5G 模組;若需要更低的熱膨脹係數或更高的耐溫、耐電弧能力,則建議評估鎢銅 AWC 系列。

Q3. 可以指定熱膨脹係數客製嗎?

可以。除 5 種標準牌號外,AMETEK SMP 可依客戶指定的熱膨脹係數調整 Mo/Cu 比例進行配方設計,使材料與 GaAs、GaN 或陶瓷基板的膨脹行為匹配。

Q4. 材料表面可以電鍍嗎?

可以。原廠提供 Nadcap 認證電鍍製程(鎳、金等),另可搭配 EDM 放電加工與近淨形成型,直接交付可上線的成品件。

Q5. 最大可供應到多大尺寸?

最大寬度 4 in.(102 mm)、厚度 3 in.(76 mm)、長度 24 in.(610 mm),實際可供尺寸依材質與整體幾何而定。請於詢價時提供圖面,由常笙企業協助向原廠確認。

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